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珠寶照明廠家為您簡(jiǎn)單介紹半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn),可追溯到上世紀(jì)二十年代。法國(guó)科學(xué)家O.W.Lossow在研究SiC檢波器時(shí),首先觀察到了這種發(fā)光現(xiàn)象。由于當(dāng)時(shí)在材料制備、器件工藝技術(shù)上的限制,這一重要發(fā)現(xiàn)沒(méi)有被迅速利用。直至四十年后,隨著Ⅲ-Ⅴ族材料與器件工藝的進(jìn)步,人們終于研制成功了具有實(shí)用價(jià)值的發(fā)射紅光的GaAsP發(fā)光二級(jí)管,并被GE公司大量生產(chǎn)用作儀器表指示。此后,由于GaAs、Gap等材料研究與器件工藝的進(jìn)一步發(fā)展,除深紅色的LED外,包括橙、黃、黃綠等各種色光的LED器件也大量涌現(xiàn)于市場(chǎng)。
出于多種原因,Gap、GaAsP等LED器件的發(fā)光效率很低,光強(qiáng)通常在10mcd以下,只能用作室內(nèi)顯示之用。雖然AlGaAs材料進(jìn)入間接躍進(jìn)型區(qū)域,發(fā)光效率迅速下降。跟隨著半導(dǎo)體材料及器件工藝的進(jìn)步,特別是MOCVD等外延工藝的日益成熟,至上世紀(jì)九十年代初,日本日亞化學(xué)公司(Nichia)與美國(guó)的克雷(Cree)公司通過(guò)MOCVD技術(shù)分別在藍(lán)寶石與SiC襯底上生長(zhǎng)成功了具有器件結(jié)構(gòu)的GaN基LED外延片,并制造了亮度很高的藍(lán)、綠及紫光LED器件。
超高亮度LED器件的出現(xiàn),為L(zhǎng)ED應(yīng)用領(lǐng)域的拓展開(kāi)辟了極為絢麗的前景。首先是亮度提高使LED器件的應(yīng)用于從室內(nèi)走向室外。即使在很強(qiáng)的陽(yáng)光下,這類(lèi)cd級(jí)的LED管仍能熠熠發(fā)亮,色彩斑斕。目前已大量應(yīng)用于室外大屏幕顯示、汽車(chē)狀態(tài)指示、交通信號(hào)燈、LCD背光與通用照明領(lǐng)域。超高亮LED的第二個(gè)特征是發(fā)光波長(zhǎng)的擴(kuò)展,InGaAlP器件的出現(xiàn)使發(fā)光波段向短波擴(kuò)展到570nm的黃綠光區(qū)域,而GaN基器件更使發(fā)光波長(zhǎng)短擴(kuò)至綠、藍(lán)、紫波段。如此,LED器件不但使世界變得多彩,更有意義的是使固態(tài)白色照明光源的制造成為可能。與常規(guī)光源相比,LED器件是冷光源,具有很長(zhǎng)的壽命與很小的功耗。其次,LED器件還具有體積小,堅(jiān)固耐用,工作電壓低,響應(yīng)快,便于與計(jì)算機(jī)相聯(lián)等優(yōu)點(diǎn)。統(tǒng)計(jì)表明,在二十世紀(jì)的最后五年內(nèi),高亮LED產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)一直保持著40%以上的增長(zhǎng)率。隨著世界經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇以及白色照明光源項(xiàng)目的啟動(dòng),相信LED的生產(chǎn)與應(yīng)用會(huì)迎來(lái)一個(gè)更大的高潮。
珠寶照明也是同led的“陪同”下一步步在挫折中前進(jìn),在前進(jìn)中備受挫折的過(guò)程中循序漸進(jìn),這也讓珠寶照明和led行業(yè)在不斷的進(jìn)步和發(fā)展的必然途徑。